Samsung crea la primera memoria DRAM DDR5 de 512 GB

Todo gracias a la tecnología HKMG

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La tecnología de enfriamiento High-K Metal Gate fue usada por primera vez por Samsung para fabricar memorias GDDR 6 en 2018. Hoy gracias a esa misma tecnología la empresa coreana ha anunciado que son los primeros en fabricar memoria DRAM DDR5 de 512 GB.

Esto es posible gracias a las capacidades aislantes de la tecnología HKMG, la cual permite a estas nuevas memorias utilizar un 13% menos de energía y también ser ideales para trabajar en centros de datos, donde la eficiencia energética y la temperatura son críticas. Estas nuevas memorias también sirven para ser usadas en cargas de trabajo externas de gran ancho de banda como supercomputación, inteligencia artificial y aprendizaje automático.

La memoria utiliza 8 capas de chips DRAM de 16 GB para llegar a los ansiados 512 totales. “Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento y, al mismo tiempo, energéticamente eficientes para alimentar los ordenadores necesarios para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y otros ámbitos”, dijo Young-Soo Sohn, Vicepresidente del Grupo de Planificación/Entrenamiento de Memoria DRAM de Samsung Electronics.


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(Fuente)

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