Pudiendo quizás ampliarse debido a la falta de acceso a la litografía EUV, tecnología indispensable para la fabricación de nodos avanzados, experto surcoreano advierte que la brecha tecnológica de memorias con China supera los cinco años y además, señala que la alternativa del apilamiento 3D enfrenta barreras críticas en materiales controlados por Japón y en la falta de experiencia colaborativa con gigantes como NVIDIA y Apple.
En medio de la incesante carrera por la supremacía en el sector de los semiconductores, expertos se preguntan si China está cerrando realmente la distancia con los gigantes surcoreanos en la fabricación de memorias. Y contra todo pronóstico optimista proveniente de Pekín, una voz autorizada de la industria ha lanzado lo que califican como balde de agua fría sobre estas expectativas. Se trata de Shim Dae-yong, profesor de semiconductores de próxima generación en la Universidad Dong-A y veterano de la industria, quien ha declarado al medio The Korea Herald que la distancia tecnológica es mucho más profunda de lo que se asume públicamente.
Según su análisis, la narrativa de que China está a solo dos o tres años de distancia es errónea y que la realidad, sostiene, es que la brecha supera los cinco años y, debido a las restricciones de maquinaria crítica, amenaza con ampliarse aún más. Esto quiere decir, un menor rendimiento que DDR5 coreano de última generación, sin características avanzadas que tiene memoria premium, y posibles problemas de compatibilidad con hardware más nuevo.
Más noticias de PC
Más allá de la maquinaria
Shim no es un observador casual, como indican en TrendForce, firma de consultoría tecnológica quienes regularmente entregan informes de inteligencia de mercado, ya que su diagnóstico pesa debido a su trayectoria de 26 años en SK hynix, donde lideró el desarrollo de tecnología central de DRAM y jugó un papel instrumental en los avances tempranos de la memoria de alto ancho de banda (HBM), el componente que hoy es vital para la inteligencia artificial.
Su advertencia pone de relieve que las sanciones internacionales y las complejidades técnicas están creando un muro difícil de escalar para los fabricantes chinos. El informe indica que el núcleo del argumento de Shim radica en una limitación estructural que va más allá del simple conocimiento técnico, teniendo al centro el acceso al hardware. La industria de las memorias DRAM avanza implacablemente hacia la miniaturización. Los procesos han evolucionado desde los nodos 1x, 1y y 1z (por debajo de los 20 nanómetros) hacia las clases de 10 nanómetros, conocidas como 1a, 1b y 1c.
Es en esta transición donde China se encuentra en un callejón sin salida aparente y el profesor explica que, si bien técnicas como el “multi-patterning” (patrones múltiples) permitieron extender la vida útil de las herramientas de litografía antiguas, una estrategia que la estadounidense Micron utilizó con éxito en el nodo 1a, esta solución tiene una fecha de caducidad técnica. A partir del nodo 1b, el uso de la litografía ultravioleta extrema (EUV) se vuelve “efectivamente indispensable”.
Dado que China tiene restringido el acceso a estas máquinas de vanguardia (fabricadas casi exclusivamente por la holandesa ASML), su capacidad para avanzar se ve severamente truncada. Además de la imposibilidad física de imprimir circuitos tan pequeños sin EUV, existe un problema de viabilidad económica: el rendimiento (yield). Para que una empresa de memorias sea competitiva en costos frente a Samsung o SK hynix, necesita que entre el 80% y el 90% de los chips producidos en una oblea sean funcionales.
Y sin las herramientas adecuadas, los fabricantes chinos luchan por alcanzar estas cifras, lo que hace que su producción, aunque técnicamente posible en volúmenes bajos, sea comercialmente insostenible a gran escala. Por esto, ante la imposibilidad de competir en la miniaturización plana debido a la falta de EUV, China ha intentado pivotar su estrategia hacia el apilamiento 3D avanzado. La lógica es que si no puedes hacer los chips más pequeños, apílalos verticalmente para ganar potencia. Sin embargo, Shim advierte que esta ruta no es un atajo mágico, sino un desvío que conduce a nuevos cuellos de botella, específicamente en el área de materiales y empaquetado avanzado.
El espejismo del apilamiento 3D y la falta de “roce” industrial
Junto a lo anterior, el experto señala que el apilamiento 3D traslada la presión hacia materiales críticos como el underfill (relleno) y los compuestos de moldeo epoxi, esenciales para la estabilidad de las memorias HBM. Aquí, la cadena de suministro presenta otro desafío geopolítico, advirtiendo que estos materiales están controlados mayoritariamente por proveedores japoneses de élite, como Resonac y Namics. Incluso gigantes establecidos como Samsung y SK hynix han tardado años en localizar o asegurar estos insumos críticos, lo que sugiere que China no podrá replicar esta cadena de suministro de la noche a la mañana.
Finalmente, existe la barrera de la experiencia colaborativa, y el informe destaca que el éxito de las memorias surcoreanas no es sólo producto de su I+D interno, sino de décadas de “co-desarrollo” con los titanes tecnológicos globales. Empresas como Microsoft, Google, Apple y NVIDIA no se limitan a comprar memorias; trabajan codo a codo con los proveedores para validar y ajustar los chips a nuevas arquitecturas de sistemas. Así, Shim enfatiza que esta simbiosis técnica, forjada a lo largo de décadas de confianza y prueba de errores, es un activo que las firmas chinas no poseen y que, a diferencia de la maquinaria, no se puede comprar ni aplicar ingeniería inversa en un corto periodo de tiempo.
Fabricantes de PC exploran integración de memorias RAM de China al no tener más alternativa, mientras la escasez sigue en aumento→ Precios de DDR5 finalmente se estabilizan tras meses de alzas brutales: solo 0.1% de aumento desde mediados de enero→
