Rompiendo récords con un ancho de banda de 3,3 TB/s y superando ampliamente los estándares de la industria, Samsung redefine la era de la IA al iniciar la producción masiva de sus memorias HBM4, con envíos comerciales ya en curso y una eficiencia superior, proyectando triplicar sus ventas para 2026.
Dentro de la actual crisis de memoria RAM y el alza de precios de esta, debido a la alta demanda de la Inteligencia Artificial, en un movimiento estratégico, Samsung Electronics ha anunciado oficialmente el inicio de la producción en masa de su memoria HBM4 (High Bandwidth Memory 4 o Memoria de Alto Ancho de Banda 4). Un anuncio que llega en un momento crucial, disipando de raíz las incertidumbres recientes sembradas por competidores como Micron respecto a la viabilidad inmediata de esta tecnología, donde además, el gigante surcoreano informó que no solo ha comenzado la fabricación, sino que ha confirmado el envío de las primeras unidades comerciales a sus clientes, consolidando una posición de liderazgo agresiva.
Apoyándose en aspectos técnicos como su avanzada DRAM de sexta generación de 10 nanómetros (proceso 1c) y una sofisticada matriz lógica de 4 nm, la compañía asegura haber logrado altos rendimientos de producción desde el primer día, eliminando la necesidad de rediseños y acelerando la llegada de la próxima generación de IA.
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Un estándar que supera las expectativas del mercado
La llegada de la HBM4 de Samsung no es solo una actualización incremental, sino que representa un salto cualitativo en la capacidad de procesamiento de datos. Según el comunicado oficial de la marca, compartido por medios especializados como Videocardz, estos nuevos módulos ofrecen una velocidad de procesamiento constante de 11,7 Gbps. Una cifra catalogada como devastadora para los estándares actuales, situándose aproximadamente un 46% por encima de la media dentro de la industria, que actualmente ronda los 8 Gbps.
La comparación con la generación anterior, la HBM3E, es inevitable y favorable para Samsung, porque la nueva memoria es 1,22 veces más rápida, superando el techo previo de 9,6 Gbps y con capacidad técnica para alcanzar picos de rendimiento de hasta 13 Gbps. Este aumento en la velocidad bruta es fundamental para alimentar los algoritmos de los modelos de lenguaje grandes (LLMs) y las redes neuronales complejas que dominan el sector tecnológico actual.
Y más allá de la velocidad de transferencia individual, el verdadero hito técnico reside en el ancho de banda total, donde Samsung ha logrado que cada pila individual de memoria alcance un máximo de 3,3 TB/s (terabytes por segundo). Esto supone multiplicar por 2,7 el ancho de banda ofrecido por la HBM3E, una cifra que promete eliminar los cuellos de botella en los centros de datos más exigentes del mundo.
Para esta fase inicial de lanzamiento, la tecnológica ha puesto en el mercado pilas de 12 capas (12-Hi), que ofrecen capacidades que oscilan entre los 24 GB y los 36 GB. Además, la compañía ya ha confirmado que las futuras pilas de 16 capas ampliarán esta capacidad hasta los 48 GB, una medida diseñada para alinearse con los plazos y necesidades escalables de sus socios comerciales en el sector de la IA generativa.
Innovación térmica y sostenibilidad operativa
El rendimiento extremo suele conllevar desafíos térmicos, pero Samsung parece haber abordado este problema mediante ingeniería de precisión, indica el reporte de Videocardz. Esto, teniendo en cuenta que las especificaciones detalladas revelan un aumento del 40% en la eficiencia energética, logrado mediante la implementación de tecnología TSV (Through-Silicon Via) de bajo voltaje y la optimización de las redes de distribución de energía.
Además, la durabilidad y estabilidad del componente han sido reforzadas, con una resistencia térmica que ha mejorado un 10% y la capacidad de disipación de calor es un 30% superior en comparación con la HBM3E. Estas mejoras son vitales para mantener la integridad de los datos y la vida útil del hardware en servidores que operan 24/7 bajo cargas de trabajo intensivas.
Para terminar, analistas comentan que el movimiento de Samsung también debe leerse como una respuesta directa a sus rivales, recordando que a principios de enero, durante el CES 2026, SK Hynix presentó su propia apuesta, el primer paquete de memoria HBM4 de 16 capas de la industria. La marca destacó en su presentación las densidades logradas gracias a su tecnología de moldeo MR-MUF y una interfaz de 2048 bits y según informó Tom’s Hardware, SK Hynix afirmó que sus pilas operan a 10 GT/s, un 25% más rápido que el estándar JEDEC.
Así, con ambos gigantes surcoreanos desplegando sus mejores cartas, la guerra por dominar la memoria de la próxima década digital está oficialmente declarada, con Samsung tomando la delantera en disponibilidad comercial inmediata.
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